news 2026/2/13 7:49:07

散热VS安规的生死局!3KW_OBC_IP65 Hipot失效溯源与协同设计指南

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张小明

前端开发工程师

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散热VS安规的生死局!3KW_OBC_IP65 Hipot失效溯源与协同设计指南

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211、985硕士,职场15年+

从事结构设计、热设计、售前、产品设计、项目管理等工作,涉足消费电子、新能源、医疗设备、制药信息化、核工业等领域

涵盖新能源车载与非车载系统、医疗设备软硬件、智能工厂等业务,带领团队进行多个0-1的产品开发,并推广到多个企业客户现场落地实施。

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本期给大家带来的是关于车载3KW_OBC_IP65 Hipot问题总结与分析研究内容,希望对大家有帮助。

一:IP65 Hipot测试条件

AC-机壳 2.5kV 1min

AC-DC 2.5kV 1min

DC-机壳 2,5kV 1min

二:测试结果分析

Hipot测试Fail,通过查找分析,排除了Thermal pad的绝缘强度问题。排除了金属压条和Main board的接触安规距离问题。通过几次Hipot测试,发现每次经过Hipot测试后,整流桥都损坏。则整流桥部分存在安规问题。

AC-机壳(输入PFC部分)问题如下。

输入PFC部分PCB如下所示

①:通过多次测试,如果将C119和PFC电感插入端子(如上图所示)和MOSFET之间灌满导热粘土,则Hipot测试通过。如下图所示

②:认为这3处和MOSFET之间安规距离不够,由于PFC电感插入端子与MOSFET的D级是同一电气连接关系,则与MOSFET之间不应该出现安规

距离不够问题,测试如下。将MOSFET之间的导热粘土拿掉测试。

测试通过,则排除了PFC电感插入端子和MOSFET之间的距离问题

③:为了排除电感端子和PFC的二极管间距问题,将上面的导热粘土拿掉测试如下

测试通过,则排除PFC电感插入端子和PFC二极管之间距离问题

④:现在则认为是MOSFET之间焊接的管脚一个MOSFET的S级和另外一个MOSFET的G级安规距离不够,测试如下:

测试发现,会出现打火现象,测试不能通过,则在MOSFET焊接管脚之间的安规距离不够。

⑤:为了验证MOSFET焊接管脚之间的安规问题,测试如下:

测试通过,则MOSFET Q100和Q101管脚之间不存在安规问题。

测试不能通过,则Q102和Q103之间的安规距离不够。则PCB布局要做调整。

⑥:为了验证C119与MOSFET间的安规问题。则做如下测试

测试通过,则之前怀疑C119和MOSFET之间安规问题得以解决。

⑦:有关每次做Hipot测试,都会损坏整流桥的问题。通过对整流桥焊接位置和机壳之间空间距离做下比较,可能会出现安全问题。

通过量测右边整流桥BD100焊接的管脚有些偏高。可能与机壳安全距离不够。则在贴Thermal Pad 时将整个整流桥都包含在内,则整流桥和机壳之间加了完整的一层Thermal Pad,应该不会再出现于机壳之间的安全问题。

整流桥PCB部分如下

则从PCB中可以看到,红色圈内两个之间可能存在安规距离不够,焊接管脚和PCB铜箔之间距离只有1.5mm左右。可能会存在问题,

则将那两个管脚之间用导热粘土填满,则如下所示。

测试可以通过。如果将导热粘土拿掉,则会出现很大的吱吱声音,则可以肯定整流桥BD101管脚之间确实存在安全问题。

但是打过Hipot之后,虽然都可以通过Hipot测试,但是整流桥还是被损坏,具体问题出现在哪里,还需要做下一步的验证和分析。从目前测试来看,整流桥PCB layout 和机构安装都可能存在些问题。需要去严格的分析一下。

DC-机壳部分主要是输出二极管焊接时之间的安规距离问题

如下图所示:

在四个二极管之间加导热粘土,则可以通过Hipot测试。

AC-DC在上面两者都通过时,也都可以通过Hipot测试。

三:Hipot目前存在问题

①:整流桥损坏问题,每次Hipot测试,无论通过还是没有通过,都会将整流桥损坏。

②:PCB layout 两个MOSFET之间安全距离。需要Layout做出调整。

③:输出二极管之间的安全问题。Layout作出调整,或者修改方案。

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