MOSFET（Metal – Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor)---金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：
1、增强型
2、耗尽型
MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为：
1、PMOS
2、NMOS
MOSFET参数很多，一般 Datasheet 包含以下参数：
极限参数：
VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。
VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。
ID： 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID 。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下：
IDM ： 最大脉冲漏源电流。我们通常取IDM=4×ID
PD ： 最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
Tj ： 最大工作结温。通常为 150 ℃
TSTG ：存储温度范围。通常为-55℃～150℃
静态参数：
1. V(BR)DSS ：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。
Test Condition： VGS=0，ID=250uA
2. IDSS：漏-源（D-S）漏电流。 一般在微安级
Test Condition：VGS=0，VDS =Rated VDS
3. IGSS：栅源驱动电流或反向电流。一般在纳安级
Test Condition：VDS=0，VGS =Rated VGS
4. VGS(th) ：开启电压（阀值电压），它具有负温度特性。
Test Condition： VGS =VDS ，ID=250uA
5. RDS(ON) ：在特定的 VGS （一般为 2.5V or 4.5V or 10V ）及漏极电流(我们一般取1/2Rated ID)的条件下， MOSFET 导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。
雪崩特性参数
功率MOSFET在电感型负载回路中，MOSFET由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。
动态参数
Ciss ： 输入电容。 Ciss= CGD + CGS
Coss ：输出电容。 Coss = CDS +CGD
Crss ： 反向传输电容。 Crss = CGD
开关时间(Switching Time)：
Td(on) ：导通延迟时间
Tr ： 上升时间
Td(off) ：关断延迟时间
Tf ： 下降时间
Test Condition ：
VDD=1/2Rated VDS
ID=1/2 Rated ID
VGS=4.5V(VGS ≤12V)or 10V
RG=4.7Ω
寄生二极管特性参数
VSD：寄生二极管正向导通电压
测试电路：
Trr：二极管反向恢复时间
二极管可视为一种电容。积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为Trr
