LED 开关电源工作在高频开关状态，EMI 干扰严重，若接地与 EMC 设计不当，会导致输出纹波大、EMC 认证失败、甚至干扰 LED 驱动与控制系统。分地、短回路、屏蔽、滤波是 EMC 设计的四大核心。
1. 分地设计：隔离功率与信号地
严格区分PGND（功率地）、SGND（信号地）、FGND（机壳地），避免大电流地电位波动干扰小信号。
PGND：大面积铺铜，连接输入电容负极、MOSFET 源极、变压器初级地、输出整流管阴极，承载高频大电流，宽度≥3mm。
SGND：局部小面积铺铜，连接 PWM 芯片、反馈电阻、补偿电容、基准源，为小信号提供稳定参考地。
单点连接：PGND 与 SGND 仅在 PWM 芯片地引脚处用短走线（≤2mm）连接，避免地环路形成天线，引入噪声。
FGND：连接 Y 电容、金属外壳、散热器，提供静电与高频干扰泄放路径，与 PGND 通过 2kV 高压电容隔离，防止高压串入低压侧。
2. 高频回路最小化：抑制辐射 EMI
辐射 EMI 主要由高频大电流环路产生，环路面积越小，辐射噪声越低。
初级环路：输入电容→变压器初级→MOSFET→输入电容地，走线短而宽，环路面积≤5cm²，减少寄生电感。
次级环路：变压器次级→整流二极管→输出电容→变压器次级地，紧凑布局，避免长走线。
SW 节点：铜箔面积最小化，远离反馈线、控制芯片、高频信号线，必要时包地屏蔽。
3. 屏蔽与隔离：阻断干扰耦合
高低压隔离：初级高压侧与次级低压侧预留≥5mm 隔离带，PCB 开槽，物理隔离，满足 IEC/UL 62368-1 安规要求。
开关节点屏蔽：SW 节点周围用地线包围，形成屏蔽墙，抑制电场辐射。
变压器屏蔽：选用屏蔽变压器，屏蔽层接 FGND，减少磁场辐射；无屏蔽变压器时，远离控制芯片与反馈走线。
4. 滤波设计：衰减传导 EMI
输入滤波：交流输入端并联 X 电容（0.1μF/275VAC）与 Y 电容（2.2nF/500VAC），串联共模电感，滤除共模与差模干扰；直流输入端并联电解电容（100μF/50V）与高频陶瓷电容（0.1μF），长短波滤波结合。
输出滤波：输出端串联功率电感，并联高频陶瓷电容（1μF+0.1μF），靠近 LED 负载，抑制输出纹波，纹波控制在≤50mVpp。
控制芯片滤波：PWM 芯片 VCC 引脚并联 0.1μF 高频电容，靠近引脚放置，滤除电源噪声。
5. 走线规则：减少干扰耦合
功率走线与信号走线分离，不交叉、不平行，间距≥0.5mm。
反馈走线短而直，长度≤5mm，用地线包围屏蔽，远离 SW 节点与变压器。
高频信号线（如时钟、驱动线）短而粗，避免过孔，减少寄生电感。
通过以上接地与 EMC 设计，可将传导噪声控制在 EN 55022 标准限值内，辐射噪声满足 CISPR 22 Class B 要求，确保电源在复杂电磁环境下稳定工作，不干扰 LED 系统与周边电子设备。
