特性
- 最高效率达93%
- 低导通电阻(RDS(ON))集成功率MOSFET
- NMOS 80mΩ / PMOS 120mΩ
- 宽输入电压范围:2.5V至5.5V
- 固定550KHz开关频率
- 轻载条件下的低功耗模式
- ±2.0%的电压基准精度
- PMOS限流用于短路保护
- 低静态电流
- 输出纹波低于200mV(示波器全带宽)
- 快速瞬态响应
- 内置软启动功能
- 带自动恢复功能的过温保护
- 输出过压保护
- 节省空间的SOT - 23 - 6封装
张小明
前端开发工程师
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