简单介绍工作中常用二极管的特性和用途
1、普通二极管
硅二极管
主要应用于整流电路、电压稳定器、电压限制器、振荡电路等。
正向压降低、反向击穿电压高、温度系数小。
正向压降大约0.6~0.7V.
锗二极管
适用于高频放大电路、调制解调电路、检波电路等。
正向压降低、反向击穿电压低、温度系数大。
正向压降大约0.2~0.3V.
主要特点：反向耐压高kV级、正向电流大、反向恢复时间 trr 很长 (μs 级)、只能低频，可用作AC-DC整流二极管。
用途举例：Boost PFC电路中的旁路二极管。该二极管作用：1、雷击浪涌时，旁路浪涌电流，防止电感保护，损坏功率开关管；2、产品在做满载情况下输入反复掉电测试时，AC掉电时Cbus能量会被抽空瞬间掉电，若IC驱动芯片Vcc处的电容较大，会出现Vcc处电容的掉电速度低于Cbus，此时IC依旧正常工作。AC重启时，MOS未经历软启开机，在AC峰值处，PFC电感和功率MOSFET的工作峰值电流非常大，如果电感的饱和电流余量不够，或PFC的电流取样电阻选取得过小时，PFC电感有可能发生饱和，功率MOSFET在大电流的冲击下，就有可能发生损坏。
2、快恢复二极管、超快恢复二极管
主要特点：优化 PN 结构通过人工拓展PN阶段势垒区，反向恢复 trr为 几十 ns~ 几百 ns，适合高频开关，反向耐压几百V-几千V。
用途举例：PFC功率因数校正续流管、buck电路续流、反激次级整流几十到几百Hz、高压大功率电路中的驱动自举二极管（1、耐压 VR：低压≥60V；高压母线 600V 系统≥800~1000V；2、电流 IF：≥1A（启动瞬间自举电容充电峰值电流大）；trr：肖特基≈0ns；超快恢复＜100ns，普通整流 μs 级直接淘汰）
3、肖特基二极管-SBD
主要特点：金属 - 半导体结、反向恢复时间trr≈0（纳秒级）、正向压降低VF≈0.3∼0.7V、漏电流偏大，使用场所低压大电流高频整流，≤200V。
用途举例：
4、稳压齐纳二极管-Zener
主要特点：反向击穿稳压，恒定稳压值 Vz，小电流稳压
用途举例：电源基准电压取样、稳压反馈。
5、TVS 瞬态电压抑制二极管
特点：瞬间雪崩击穿，纳秒级泄放雷击 / 静电浪涌，钳位电压
用途举例：AC 输入端防雷击、DC 输入端口防静电、车载电源浪涌保护。
6、Sic 二极管
特点：近乎零反向恢复（Qrr≈0、trr≈0）、超高耐压：650V/1200V/1700V 起步、正温度系数 VF，不会热失控、并联天然均流、耐高温 + 散热好。
用途举例：PFC 升压二极管、半桥驱动自举等。
总结：
- 齐纳不能直接并电源，无限流会瞬间过流烧管；电阻取值：保证稳压电流在Izmin～Izmax 之间。
- TVS使用注意事项
- 工作状态：
正向偏置：普通（整流）二极管，恒流二极管，变容二极管，发光二极管（LED），肖特基二极管，快恢复二极管（FRD）
反向偏执：齐纳（稳压）二极管，瞬态电压抑制二极管（TVS），光电二极管（LED） - 温度系数：TVS、Sic、齐纳二极管（部分负温度系数）为正温度系数
