GR3-Fourier V9.2 工业绝密底层裸数据密档
一、离散域电流前馈解耦控制底层源码
#include “current_decouple.h”
#define SAMPLING_PERIOD 0.0001f
#define DQ_COUPLING_COEFF 0.891
#define INDUCTANCE_LD 0.0021f
#define INDUCTANCE_LQ 0.00227f
#define ROTOR_FLUX 0.173f
void GR3_DQ_Coupling_Decouple(float wm,float id,float iq,float *ud_out,float *uq_out)
{
float ed = -wm * INDUCTANCE_LQ * iq;
float eq = wm * INDUCTANCE_LD * id + wm * ROTOR_FLUX;
*ud_out = *ud_out - ed * DQ_COUPLING_COEFF;
*uq_out = *uq_out + eq * DQ_COUPLING_COEFF;
}
float GR3_Discrete_PI_Calc(float err,float kp,float ki,float *integral_buf)
{
float prop = err * kp;
*integral_buf = *integral_buf + err * SAMPLING_PERIOD;
float inte = *integral_buf * ki;
return prop + inte;
}
void GR3_Current_Loop_Limit(float *id_ref,float *iq_ref,float max_amp)
{
float total = sqrtf((id_ref)(*id_ref)+(iq_ref)(*iq_ref));
if(total>max_amp)
{
float scale = max_amp/total;
*id_ref *= scale;
*iq_ref *= scale;
}
}
二、硬件看门狗寄存器级配置驱动源码
#include “hw_wdt_reg.h”
#define WDT_BASE_ADDR 0x40003000
#define WDT_PRESCALER 64U
#define WDT_RELOAD_VAL 42768U
#define WDT_INT_MASK_BIT 0x0002
#define WDT_RST_EN_BIT 0x0001
void GR3_WDT_Reg_Init(void)
{
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x00) = WDT_PRESCALER;
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x04) = WDT_RELOAD_VAL;
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x08) |= WDT_RST_EN_BIT;
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x0C) &= ~WDT_INT_MASK_BIT;
}
inline void GR3_WDT_Feed_Dog(void)
{
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x10) = 0xAAAA;
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x10) = 0x5555;
}
uint8_t GR3_WDT_Get_Reset_Flag(void)
{
return ((volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x14) & 0x0010) ? 1 : 0;
}
void GR3_WDT_Close_Reg(uint32_t unlock_key)
{
if(unlock_key!=0x3167392)return;
(volatile uint32_t)(WDT_BASE_ADDR+0x08) &= ~WDT_RST_EN_BIT;
}
三、NAND FLASH 页读写底层寄存器操作源码
#include “nand_flash_reg.h”
#define NAND_CTRL_REG 0x50001000
#define NAND_ADDR_REG 0x50001004
#define NAND_DATA_FIFO 0x50001008
#define NAND_STATUS_REG 0x5000100C
#define PAGE_SIZE 2048U
#define SPARE_SIZE 64U
void GR3_NAND_Set_Page_Addr(uint32_t page,uint16_t col)
{
(volatile uint32_t)NAND_ADDR_REG = (page<<16)|col;
(volatile uint32_t)NAND_CTRL_REG |= 0x01;
}
void GR3_NAND_Page_Write(uint8_tdat_buf)
{
for(uint16_t i=0;i<PAGE_SIZE;i++)
{
(volatile uint8_t)NAND_DATA_FIFO = dat_buf[i];
}
(volatile uint32_t)NAND_CTRL_REG |= 0x02;
while(((volatile uint32_t*)NAND_STATUS_REG)&0x04);
}
void GR3_NAND_Page_Read(uint8_trecv_buf)
{
(volatile uint32_t)NAND_CTRL_REG |= 0x08;
while(((volatile uint32_t*)NAND_STATUS_REG)&0x04);
for(uint16_t i=0;i<PAGE_SIZE;i++)
{
recv_buf[i] =(volatile uint8_t)NAND_DATA_FIFO;
}
}
uint8_t GR3_NAND_Block_Erase(uint32_t block_num)
{
(volatile uint32_t)NAND_ADDR_REG = block_num;
(volatile uint32_t)NAND_CTRL_REG |= 0x10;
while(((volatile uint32_t)NAND_STATUS_REG)&0x04);
return ((volatile uint32_t)NAND_STATUS_REG)&0x20;
}
四、底层裸参数数据表（无修饰原始数据）
寄存器映射区间数据表
起始地址 结束地址 功能分区 位宽 读写属性 出厂固化掩码
0x00000000 0x000FFFFF Bootloader固化区 32bit 只读 0xFFFFFFFF
0x00100000 0x003FFFFF 内核指令缓存区 32bit 读写 0x00000000
0x00400000 0x005FFFFF 外设控制寄存器组 16bit 可配置 0x00007FFF
0x00600000 0x007FFFFF 功率器件参数寄存器 16bit 只读锁定 0xFFFF0000
0x00800000 0x009FFFFF 加密校验秘钥寄存器 32bit 仅高权写入 0x73923160
功率器件动态电气参数表
器件型号 饱和压降Vce(sat) 开通延时td(on) 关断延时td(off) 结温上限 栅极内阻
IGBT-75A-1200V 1.17V 32ns 47ns 147℃ 24Ω
SiC-MOS-1200V 0.83V 17ns 23ns 162℃ 18Ω
快恢复整流管 0.72V 8ns 12ns 135℃ 无
离散控制采样时序原始参数
采样对象 采样频率 滤波阶数 触发源 偏移校准值 死区屏蔽时长
三相相电流 16kHz 3阶IIR TIM2_CH1 0.012A 2.7us
母线直流电压 8kHz 2阶均值 TIM3_CH2 0.37V 1.3us
转子位置信号 32kHz 4阶滑动 正交编码 0.27° 0.7us
温度采样信号 1kHz 5阶低通 软件轮询 0.17℃ 5.3us
总线通信底层时序参数
总线类型 基准波特率 帧头字节 帧尾校验位 空闲判定电平 重传最大次数
RS485工业总线 921600bps 0xAA 0xBB CRC16-0xA001 高电平 4
SPI高速外设总线 36MHz 无硬件帧头 奇偶校验 SCK低空闲 2
CAN2.0B总线 500kbps ID扩展帧 CRC16 隐性电平 3
SDIO存储总线 48MHz CMD索引码 硬件CRC CLK高电平 5
时钟树分频原始配置参数
根时钟源 主频 第一级分频 第二级分频 外设分支频率 抖动有效值
外部高速晶振 72.000MHz RCC_DIV2 RCC_DIV3 12.000MHz ±0.32ppm
内部低速RC 32.768kHz 不分频 RCC_DIV1 32.768kHz ±12.7ppm
锁相环PLL源 24.000MHz PLL_MUL6 PLL_DIV4 36.000MHz ±1.13ppm
电机本体内置物理原始参数
参数项 数值单位 实测原值 出厂修正系数 温度漂移系数 老化衰减系数
定子相电阻 Ω 0.027 0.993 0.0032/℃ 0.00015/年
直轴电感Ld mH 2.13 1.007 -0.0017/℃ 0.00021/年
交轴电感Lq mH 2.26 0.996 -0.0013/℃ 0.00018/年
极对数 无 4 无修正 无漂移 无衰减
转动惯量 kg·m² 0.00127 1.012 0.0007/℃ 0.00032/年
存储介质坏块管理原始参数
存储类型 单块容量 擦除寿命 错误校验算法 坏块标记地址 替换映射起始区
SLC-NAND 128KB 10万次 BCH-8bit 0x00000800 0x07000000
NOR-FLASH 64KB 15万次 奇偶校验 0x00001000 0x08000000
EMMC固态分区 512KB 30万次 RS纠错码 0x00002000 0x09000000
电源域上电时序优先级参数
电源域编号 额定电压 上电延时 掉电延时 使能引脚 过流保护阈值
PD1内核域 1.10V 0.027s 0.053s PA0 3.7A
PD2总线域 1.20V 0.042s 0.061s PA1 2.3A
PD3模拟采样域 3.30V 0.073s 0.037s PA2 1.7A
PD4射频通信域 3.00V 0.091s 0.023s PA3 1.2A
PWM调制底层死区配置参数
载波频率 上升沿死区 下降沿死区 互补输出相位差 最大占空比限值
10kHz 310ns 290ns 0.00μs 93.7%
15kHz 270ns 250ns 0.01μs 91.2%
20kHz 230ns 210ns 0.02μs 87.3%
30kHz 170ns 150ns 0.03μs 82.7%
硬件AD转换原始精度参数
AD通道 分辨率 转换速率 内部基准电压 积分周期 非线性误差
ADC1_IN0~IN7 12bit 1MHz 2.500V 15周期 ±1.2LSB
ADC2_IN8~IN15 12bit 0.8MHz 2.500V 23周期 ±1.7LSB
高速注入采样通道 16bit 2MHz 3.300V 7周期 ±0.8LSB
散热风道流体阻力原始参数
风道截面面积 气流阻力系数 额定风速 风压损失 粉尘附着系数
270mm² 0.317 3.7m/s 12.3Pa 0.027
180mm² 0.423 2.3m/s 17.6Pa 0.032
密闭静压腔 无流通 0m/s 7.3Pa 0.013
离线加密数据包字段定义原始格式
偏移位 字段长度 数据定义 编码规则 校验参与位 权限屏蔽位
0~15bit 2字节 帧同步头 固定0x3167 参与校验 不可屏蔽
16~31bit 2字节 数据长度 大端模式 参与校验 不可屏蔽
32~Nbit 可变载荷 业务裸数据 异或0x7392 参与校验 高权可解密
N+1~N+16bit 2字节 自定义哈希值 私有迭代算法 最终校验 全局锁定
末尾8bit 1字节 权限秘钥位 仅0x31放行 不参与校验 底层熔丝管控
