当年特斯拉因闪存故障召回15.8万辆Model S和Model X时，整个行业意识到一个被忽视的真相：即便在SSD普及的今天，我们依然深度依赖的NAND Flash闪存，正被耐久性和可靠性两大顽疾困扰。Program/Erase（P/E）循环导致的磨损老化、Cell间干扰引发的错误累积，让大量闪存块提前沦为"坏块"，不仅造成存储资源浪费，更可能引发关键系统故障。
来自弗吉尼亚大学的M. Ceylan Morgul博士和Mircea Stan博士在IIRW 2024上提出的"页隔离（Page Isolation）"技术，为NAND Flash闪存开辟了第二条生命通道。这项看似简单的创新，通过重构闪存页面的使用逻辑，让原本因不可纠正错误（UE）报废的块重获利用价值，在不显著增加硬件成本的前提下，实现了可靠性与寿命的双重突破。
要理解页隔离技术的革命性，首先需要直面NAND Flash闪存的底层缺陷。无论是2D浮栅型NAND还是3D电荷俘获型NAND，其工作原理都依赖于电子在栅极间的强制迁移——编程（Program）时注入电子，擦除（Erase）时抽出电子。这种物理过程带来了两个无法回避的问题：
每一次P/E循环都会对闪存Cell的氧化层造成微小损伤，导致电子俘获现象加剧。这直接引发阈值电压（Threshold Voltage）的两大变化：要么是分布曲线整体偏移，要么是曲线宽度显著拉宽。当阈值电压的离散度超过纠错码（ECC）的校正能力时，不可纠正错误（UE）就会出现，此时整个块会被标记为"坏块"并停止使用。
对于汽车电子、工业控制等需要长期稳定运行的
