一、芯片核心定位
HF3605是一款采用DFN 1x1-4超微型封装、集成固定阈值保护功能的高压前端保护开关IC
其核心价值在于高达45V的输入瞬态耐压、35V的热插拔耐受能力、1.3A的固定过流保护 以及 极致的空间利用率
专为对PCB面积有极致要求的超紧凑便携设备（如超薄手机、TWS耳机、智能手表）充电端口设计，在1mm x 1mm的面积内提供完整的过压、过流、过温三重保护
二、关键电气参数详解
电压与耐压特性
- 输入绝对最大电压 50V（极限值），45V（典型耐压）
- 工作输入电压范围（VIN） 3V 至 40V（推荐最大值）
- 输出最大电压（VOUT） 6.5V（绝对最大值）
- 过压保护（OVP）阈值 6.1V（典型，VIN上升时触发）
- 过压保护迟滞（VOVLO_HYS） 0.18V（恢复阈值约5.92V）
- 热插拔能力 在VIN和VOUT各接0.1μF电容时，可承受 35V 插拔瞬态电压，应对Type-C等接口异常
导通与电流能力
- 导通电阻（RDS(ON)） 典型 500mΩ（VIN=5V， IOUT=0.2A），在微型封装中实现了可接受的导通阻抗
- 最大连续输出电流（IOUT） 800mA（推荐条件）
- 固定过流保护（OCP）电流（IOCP） 1.3A（不可调，内置）
- 过流保护消隐时间（tDEGLITCH_OCP） 400μs
- 过流保护恢复时间（tOCP_recovery） 400ms
功耗与动态特性
- 静态电流（IQ） 典型 40μA（VIN=5V， 空载）
- 过压保护下静态电流（IQ_OVP） 典型 120μA（VIN=30V）
- 软启动时间（tON） 典型 10ms
- 过压保护响应时间（tOVP） 极快，典型 50ns（CIN=COUT=0pF测试条件）
- 过压保护恢复时间（tOVP_recovery） 6ms
- 输出放电电阻（RDCHG） 典型 400Ω（内部）
保护与可靠性
- 过温保护（OTP） 关断点 155°C（典型），恢复点 120°C（典型，迟滞35°C）
- ESD等级 HBM模式 ±3000V
- 引脚配置 四引脚DFN（VIN, VOUT, GND, NC）加底部散热焊盘（EPAD）
三、芯片架构与特性优势
极致微型化封装
- 采用仅1mm x 1mm的DFN-4封装，是目前同功能保护开关中最紧凑的解决方案之一，为空间极端受限的设计提供了可能
集成散热增强设计
- 封装底部带有裸露焊盘（Exposed Pad），必须焊接至PCB的接地铜箔，这是在这种超小封装内散发功率损耗所产生热量的关键路径，有效改善了散热能力
固定阈值简化设计
- 内置6.1V OVP与1.3A OCP，无需任何外部设置电阻，实现了“零外围”保护功能，最大化节省BOM成本和PCB面积
高可靠性热插拔
- 在标准测试条件（各0.1μF电容）下通过35V热插拔测试，确保在恶劣插拔工况下的稳定性和耐用性
四、应用设计要点
外围电路配置（必需）
- 输入输出电容 为通过35V热插拔测试，必须在VIN和VOUT对GND各接一个 0.1μF 的陶瓷电容（X5R/X7R）
- 电容耐压 CIN耐压需高于45V，COUT耐压高于6.5V
- 电容布局 电容必须紧靠芯片相应引脚放置，以最小化环路电感
PCB布局准则（至关重要）
- 功率路径 尽管封装极小，VIN（Pin1）到VOUT（Pin2）的走线仍应使用允许的最大宽度，并尽可能短
散热焊盘处理（核心）
- 芯片底部的EPAD 必须 通过锡膏可靠地焊接在PCB的大面积接地铜箔上
- 在该接地铜箔下方，应使用多个微型过孔阵列（如4-9个）连接至内层或底层的地平面，以构建三维散热路径，这是防止芯片过热的关键
- NC引脚处理 Pin4（NC）必须保持悬空，不连接任何网络
- 接地 GND（Pin3）应与EPAD的接地铜箔直接、低阻抗连接
热管理设计
- 封装热阻（θJA）270°C/W
- 功耗估算PD = IOUT² × RDS(ON)，在800mA满载时约为0.32W
- 温升评估ΔT≈ PD × θJA ≈ 86°C，在高温环境或密闭空间中需严格评估结温
- 设计建议 持续工作电流建议控制在500mA以下，以保持较低温升和更高可靠性
五、典型应用场景
超薄智能手机与折叠屏设备
- 在主板空间极其宝贵的场景中，作为Type-C端口的高密度保护方案
TWS耳机及超小型充电仓
- 为耳机内部和充电仓的充电管理提供几乎不占空间的保护，是应对复杂插拔工况的微型化选择
智能手表/手环
- 在有限的腕戴设备空间内，保护其无线充电接收电路或充电触点免受异常电压电流冲击
空间极受限的物联网（IoT）模组
- 为通过邮票孔或板对板连接器供电的微型传感器模组提供输入保护
- 任何需要将输入保护电路面积控制在1mm²级别的尖端消费电子产品
六、调试与常见问题
芯片过热触发OTP
- 检查负载电流 是否持续接近或超过800mA的推荐值
- 检查散热设计 EPAD焊接是否饱满？PCB下方过孔数量和铜箔面积是否足够？这是DFN封装散热的核心
- 评估工作环境 设备是否处于高温或密闭环境
导通压降较大影响后级供电
- 计算压降 VDROP = IOUT × 0.5Ω，在800mA时压降达0.4V，需确保后级电路的最低工作电压（VOUT -
VDROP）仍能得到满足
热插拔测试失败
- 确认测试条件 输入输出是否严格各接0.1μF电容？电容容值、材质（需为陶瓷电容）及布局是否符合要求
- 检查电源特性 测试用电源需能提供极大的瞬态电流，低阻抗电源是关键
保护功能异常
- OVP不动作 检查输入电压上升速度及VIN引脚实际监测电压
- OCP不动作 确认负载电流是否持续超过1.3A达400μs以上
无输出或输出不稳定
- 检查输入电压 是否在3-40V范围内且低于6.1V OVP阈值
- 检查后级负载 是否存在短路或严重过载
焊接不良风险（由于封装极小）
- 强烈建议 使用高精度的锡膏印刷和回流焊工艺，并安排光学检查（AOI），以确保特别是EPAD的焊接可靠性
七、总结
HF3605代表了在极致空间约束下实现高压前端保护的技术能力
它在 1x1mm DFN封装 内集成了45V耐压、35V热插拔 及 1.3A固定限流 等核心保护功能，达到了当前封装技术的密度极限
其设计成功的关键在于对超微型封装散热路径的深刻理解与优化（EPAD设计）以及 对“零外围”固定阈值保护逻辑的集成
它并非追求最高性能（如低导通电阻），而是追求在给定面积下的功能完备性与可靠性
在智能穿戴、超薄消费电子等前沿领域，HF3605是实现高密度电源输入保护的尖端组件，但要求设计者具备相应的微型化PCB设计与散热处理能力
文档出处
本文基于黑锋科技（HEIFENG TECHNOLOGY）HF3605 芯片数据手册整理编写，结合超微型化电源保护设计实践
具体设计与应用请以官方最新数据手册为准，在实际应用中务必重点验证 热插拔鲁棒性、焊接可靠性 及 高负载下的热性能
