特性
· Vnn=Vnno=1.35V (1.283-1.45V)·向后兼容至VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
差分双向数据触发信号
.
8n位预取架构
·差分时钟输入(CK，CK#)
·8个内部存储单元
·用于数据、触发和掩码信号的标称与动态片上终端(ODT)
可编程CAS(读取)延迟(CL)可编程的预写CAS附加延迟(AL)可编程CAS(写入)延迟(CWL)固定突发长度(BL)为8，突发裁剪(BC)为4
(通过模式寄存器集[MRS])
可选BC4或BL8即插即用(OTF)自刷新模式
Tcof95°C
-64毫秒，8192周期刷新至85°C在>85°C至95°C温度范围内，刷新时间为32毫秒，循环次数为8192次
·自刷新温度(SRT)
news
2026/5/8 18:33:48
MICRON美光 MT41K128M16JT-125 IT:K BGA96 DDR SDRAM
张小明
前端开发工程师
1.2k
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2026/4/23 18:26:30
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2026/4/27 21:10:06
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2026/5/2 13:57:52
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2026/4/27 18:36:43
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