news 2026/6/10 4:14:31

NCE新洁能 NCEP85T25D TO-263 场效应管(MOSFET)

作者头像

张小明

前端开发工程师

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文章封面图
NCE新洁能 NCEP85T25D TO-263 场效应管(MOSFET)

特性

  • VDS = 85V,ID = 250A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.6 mΩ
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试
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作者头像 李华